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2dsemiconductors MBE-MoSe2說明書

 更新時(shí)間:2022-06-07 點(diǎn)擊量:889


2dsemiconductors MBE-MoSe2說明書


2D MBE MoSe2

貨號(hào): MBE-MoSe2

分子式: MoSe2



2D MBE MoSe2

一個(gè)分子束外延 (MBE) 生長的 MoSe2 單分子層。MBE 是一種用于單晶質(zhì)量薄膜沉積的外延方法,與化學(xué)氣相沉積 (CVD) 或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積 (MOCVD) 技術(shù)相比,它提供了高結(jié)晶度和降低的缺陷密度(參見下面的 HRTEM 圖像)。MoSe2 單層的 MBE 生長發(fā)生在 MBE 室中,基礎(chǔ)壓力為 8E-9 Torr,沉積速率極慢(每秒 5-100 個(gè)原子)以達(dá)到結(jié)構(gòu)。典型的 MBE 生長在雙面拋光 c 切藍(lán)寶石上產(chǎn)生單層厚的 MoSe2 隔離三角形。目前,MBE MoSe2 僅在藍(lán)寶石基板上提供,但在不久的將來,我們的 MBE 基板還將包括云母、石墨和金。   

MBE、CVD、MOCVD的比較

MBE、CVD和MOCVD之間的TEM比較

 從 MBE MoSe2 收集的光學(xué)圖像

 mbe-mose2-optical.png

MBE MoSe2 懸浮在 TEM 網(wǎng)格上

mbe-mose2-tem-grid.png

 從 MBE MoSe2 收集的 PL 光譜

mbe-mose2-pl.png

 從 MBE MoSe2 收集的拉曼光譜

mbe-mose2-拉曼.png

 






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