我們專注于合成大尺寸、高質(zhì)量、電子和光學(xué)級層狀 vdW 晶體的無缺陷單晶。此類別包含二維金屬、半金屬、超導(dǎo)或 CDW 單晶。我們的產(chǎn)品具有以下*的新穎性；
保證 CDW、半金屬和超導(dǎo)響應(yīng)： 2Dsemiconductors 是保證 CDW、超導(dǎo)和金屬響應(yīng)的商業(yè)來源。
不同的晶體生長技術(shù)： 我們的晶體通過各種不同的方法生長，包括化學(xué)氣相傳輸 (CVT) 通量區(qū)技術(shù)、浮區(qū)技術(shù)和我們的一些技術(shù)
無缺陷單晶： 缺陷會影響超導(dǎo)轉(zhuǎn)變的尖銳程度、超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度、CDW 磁滯回線和許多其他影響。經(jīng)過二十年的晶體生長優(yōu)化，我們在保持缺陷濃度低至 1E8 cm-2 方面積累了豐富的經(jīng)驗，這在該領(lǐng)域是的。
2dsemiconductors BLK-BiTlTe說明書
市售的拓撲絕緣體t合金 BiTlTe（碲化鉍t）晶體。Tl 已合金化到 Bi2Te3 基體中以在 x=0.7 和 x=1.3 范圍內(nèi)形成 Bi(2-x)TlxTe3 晶體。BiTlTe（摻t的 Bi2Te3 晶體）在很大程度上是未開發(fā)的層狀材料，具有良好的拓撲行為、熱電和壓電性能。
t合金 Bi2Te3 (Bi 2-x TlxTe3) 晶體的特性
單相材料
環(huán)境穩(wěn)定：碲基材料中存在的缺陷會顯著縮短使用壽命。我們的產(chǎn)品具有極少的缺陷（1 點缺陷/1E5 單元電池），因此我們的產(chǎn)品對環(huán)境穩(wěn)定且無需復(fù)雜的儲存條件。
大單疇尺寸（約 100 微米或更大），可剝離大尺寸單層片材。
純度：我們的產(chǎn)品具有 99.9999% 或更高的純度保證，讓您能夠真正探查層狀材料的內(nèi)在特性。
客戶滿意度：根據(jù)美國客戶權(quán)利法案，我們公司努力讓客戶滿意。2Dsemiconductors 在過去 15 年中一直是 2Dmaterials 和分層材料供應(yīng)商，擁有大型設(shè)施和大量員工進行 2Dresearch 和開發(fā)。
準備去角質(zhì)：樣品經(jīng)過清潔，*以 0001 為導(dǎo)向。這意味著樣品已準備好進行剝離，無需擔(dān)心表面氧化、表面隱藏相或表面污染物。
